Semiconductor Insights (SI), das weltweit führende technische Beratungsunternehmen für Konzerne aus der Mikroelektronikbranche, gab heute bekannt, dass das Unternehmen einen produktionsfertigen 50-Nanometer-NAND-Flash von IM Flash Technologies (IMFT), dem Joint Venture von Intel und Micron, evaluiert. "Unsere vorläufigen Analysen des Geräts haben eine Gate-Länge von 50nm bei Strukturabständen der Wortleitungen bestätigt", betonte Geoff MacGillivary, Chefanalyst für Memory-Lösungen bei SI. "Dies ist das am weitesten entwickelte Flash-Element, das wir bisher gesehen haben, und wir sind beeindruckt, dass es IMFT in so kurzer Zeit geschafft hat, eine so kleine Lithographie-Prozesstechnologie bereitzustellen."

SI analysiert jährlich Hunderte von Speichergeräten, einschließlich der neuesten NAND Flash-Angebote der wichtigsten Anbieter. "Vor der Verfügbarkeit der 50nm-Komponente von IM Flash Technologies brachte der 65nm 4Gb NAND Flash von Samsung die Dichte-Kosten-Gleichung bei Single Level Cell (SLC)-Speicher auf 31.3Mb/mm2. IMFT führt nun in der Branche mit 41.8Mb/mm2 und bietet eine Die-Size, die mehr als 30% kleiner ist als die von Samsung. Das einzige Gerät, das die Lösung von IMFT übertrifft, ist Toshibas 70nm 8Gb NAND Flash mit 56.53Mb/mm2, aufgrund einer Multi Level Cell (MLC) Implementierung. Erreicht wird das allerdings auf einem Chip, der fast 50% größer ist als der von IMFT, wodurch die Gesamtherstellungskosten steigen", sagte MacGillivray. "Die größte Debatte in der Speichertechnologie drehte sich bisher immer um NOR/NAND, aber dies hat sich nun in Richtung SLC versus MLC verändert, wobei Designvorteile zwischen fortgeschrittenen Prozesstechnologien und der Dichte verglichen werden. Es wird interessant sein zu beobachten, welche Pläne IMFT hat, um seine fortschrittliche Prozess-Lithographie mit MLC-Designverfahren umzusetzen."

Zusätzliche Information:

Über den 50nm 4Gb NAND Flash von IM Flash

www.semiconductor.com/resources/reports_database/view_device.asp?sinumber=15465

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