IBM und AMD haben ein neues Verfahren des sog. "Straining" von Silizium entwickelt, das die Leistung von Chips erhöht und dabei weniger kostet und schneller und einfacher umzusetzen ist. "Strained Silicon" besteht in der Anordnung von Silizium-Atomen derart, dass der Strom darauf schneller von einem Ende des Transistors zum anderen fliessen kann. Bisher bestand dieser Prozess des Straining in der Zufügung einer Schicht Germanium unter den Transistoren. Dieses Element arrangiert die Silizium-Atome getrennt voneinander. Das vom AMD und IBM nun entwickelte verbesserte Verfahren heisst "Dual Stress Liners" (DSL) und soll dem technischen Prozess des Straining viel Kompliziertheit nehmen. Wie es heisst werden Chips mit DSL in aller Stille bereits verkauft. Aber sowohl IBM als auch AMD werden es offiziell erst in ihren für das erste Quartal 2005 vorgesehen 90-Nanometer-Prozessoren verwenden. (pol)

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