Der Halbleiterhersteller AMD gab bekannt, dass er mit Hilfe von Standardtechnologien den bisher kleinsten Double Gate Transistor hergestellt hat. Diese Transistoren, die zehn Nanometer bemessen, sind sechsmal kleiner als der kleinste derzeit produzierte Transistor. Dadurch können auf einer Chipfläche in Zukunft statt der heutigen 100 Millionen Transistoren eine Milliarde Transistoren untergebracht werden. Dies führt zu einer erheblich höheren Rechenleistung. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der sich durch einen Transistor leiten lässt. Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen Siliziumlamelle, die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht die Herstellung neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Massen. Der neue Transistor von AMD ist das Ergebnis der gemeinsamen Forschung mit der Univerity of California in Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corp. (SRC). (fwk)

Website